Una publicación del Grupo de Investigación del Dr. Francisco Rivadulla (CiQUS) ha sido distinguida por la revista APL Materials de agosto con un comentario editorial en "Research Highlights".
El artículo, titulado Strain-induced enhancement of the thermoelectric power in thin films of hole-doped La2NiO4+δ, explica cómo la energía termoeléctrica y la resistividad eléctrica se pueden modificar de forma independiente en cierto tipo de semiconductores.
Este resultado ha sido logrado por primera vez mediante el control de la tensión de tracción/compresión inducida por el crecimiento epitaxial de películas delgadas de diferentes semiconductores sobre un sustrato cristalino. El logro de este control independiente de ambas magnitudes es importante para la optimización de los materiales termoeléctricos.
APL Materials (editada por el Instituto Americano de Física, AIP) es una nueva publicación científica que contará con investigaciones originales sobre temas de significada importancia dentro del campo de la ciencia de los materiales, destacando la ciencia de vanguardia actual.
(a) Imagen TEM (Microscopio electrónico de transmisión) de alta resolución de una película La2NiO4 crecida epitaxialmente sobre STO. (b) y (c) Transformadas de Fourier de la película La2NiO4 y sustrato STO, respectivamente, lo que confirma el crecimiento epitaxial. (d) Detalle de la región de la interfaz, que muestra el eje C perpendicular a la superficie del STO.